时间:2017-07-04 来源:互联网 浏览量:
闪存、内存的疯狂涨价,让三星今年大赚特赚,当然他们在新技术上的投入也没有手软, 今天官方公布的消息显示,三星将在韩国投资186.3亿美元,以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位 。
之前我们曾报道了三星全球最大芯片工厂将开工的消息 ,而现在三星位于京畿道平泽市的新半导体工厂已经正式投入生产,其主要量产的是第四代3D NAND闪存芯片,其垂直堆叠达到64层。
三星新一代64层V-NAND数据传输速度为1Gbps,提供业界最短的500微秒(?)的烧录器,烧录单个芯片的时间, 比典型的10nm级的平面NAND闪存快约四倍,而比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了1.5倍。
三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商, 这次开足马力让第四代3D NAND闪存芯片大规模生产,可以缓解闪存、SSD目前短缺的状况,当然也能拉低产品的售价 。接下来,三星还将通过堆叠超过90层的单元阵列,来生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。