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东芝:完成128层3D NAND Flash芯片开发

时间:2019-03-07 来源:互联网 浏览量:

东芝:完成128层3D NAND Flash芯片开发(1)

      3月7日消息,东芝和合作伙伴西部数据日前宣布,已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开发,预计商用名会是BiCS-5。

东芝:完成128层3D NAND Flash芯片开发(2)
(图片来自https://news.mydrivers.com/1/618/618269.htm)

      BiCS-5理论容量密度提升约33%,晶片容量为512Gb(64GB),计划2020年到2021年期间商用。

      性能方面,BiCS-5芯片采用单Die四矩阵技术,写速相较于两矩阵翻番,达到132MB/s。这个速度怎么理解?就是SLC缓存饱和之后的SSD的真实写速。

      有趣的是,128层产品为TLC,而非QLC,原因是后者的产能还很低。

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