三星推出第三代高带宽闪存Flashbolt 速度更快吗？

据外媒报道称，三星近日宣布推出其第三代高带宽内存2E（HBM2E）“ Flashbolt”，三星预计这款芯闪存将在今年上半年开始量产。据介绍，三星推出16GB的高带宽内存2E目的在于最大化高性能计算（HPC）系统并帮助系统制造商改进其超级计算机、AI驱动的数据分析和最新的图形系统。

据了解，实现16GB的容量是通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层10nm级（1y）16千兆位（Gb）DRAM芯片，然后该HBM2E封装以40000多个“直通硅通孔”（TSV）微型凸块的精确排列进行互连，每个16Gb芯片均包含5600多个此类微小孔。

据三星称，该设备通过利用专有的优化电路设计进行信号传输能够提供每个引脚的数据传输速率为3.2 Gbps可靠的数据传输速度，同时每个堆栈提供410GB / s的内存带宽。HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度，这是迄今为止最大的测试数据速率，在某些将来的应用中，每个堆栈的带宽高达538GB / s。这将比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。

编译来源：Newelectronics